삼성전자 “데이터 기반 시대 열어나갈 것”

최시영 삼성전자 반도체 위탁생산(파운드리) 사업부장 사장이 차세대 트랜지스터 독자 기술인 ‘MBCFET™’으로 데이터 기반 사회를 열어가겠다고 밝혔다.

최시영 사장은 16일 세계 3대 반도체 학회인 VLSI 온라인 심포지엄에서 ‘팬데믹 시대, 새로운 파운드리의 답을 제시하다’를 주제로 기조 연설을 진행했다.

최시영 사장은 “핀펫이 모바일 SoC 시대를 열었던 것처럼 MBCFET은 고성능·저전력 컴퓨팅, 인공지능(AI), 5G 이동통신 확산 가속화를 통해 ‘데이터 기반 사회’를 열 것으로 기대한다”며 “삼성의 파운드리 비전은 기술 경쟁력을 기반으로 고객들에게 공정 및 설계 유연성을 제공하는 것이며 어떤 도전에도 대응할 준비가 돼 있다”고 밝혔다.

MBCFET 기술은 멀티 브릿지 채널 펫이라고 불린다. FET이란 반도체 내부에서 흐르는 전류를 차단하는 스위치다. 보다 정밀한 기능을 수행하려면 1개의 기능이 작동할 때 다른 기능으로 흐르는 전류를 막아야 한다. 하지만 반도체 선폭이 미세해질수록이 누설 전류를 차단하는 새로운 방법이 필요하다. 삼성전자가 인텔이 기존 개발한 핀펫 방식을 뛰어넘는 MBCFET을 독자 개발한 이유다.


삼성전자가 개발한 MBCFET 기술은 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 쌓아 성능과 전력 효율을 높였다. 기존 핀펫 공정과 호환성이 높아 설비·공정기술을 다시 활용할 수 있다. 삼성전자는 3나노 반도체 생산에 MBCFET을 적용할 계획이다.

VLSI 학회는 매년 6월 미국 하와이와 일본 교토에서 번갈아가면서 심포지엄을 개최해왔다. 올해는 13~19일 온라인으로 연설과 토론을 진행한다.

삼성전자는 VLSI 심포지엄에서 기조 연설 외에도 차세대 파운드리 기술과 관련된 4편의 주요 논문을 선보인다. 저전압에서 발생하는 셀의 간섭현상을 해결한 ‘5G 모바일용 5나노 저전력 SRAM 지적재산권(IP)’, 기존 5나노 공정 대비 저전압 특성을 극대화한 ‘초저전력 5나노 공정기술’, 저전압에서 빠른 읽기 속도를 구현한 ‘차량용 28나노 eFlash(내장형 플래시메모리) IP’, 세계 최고 eMRAM(내장형 MRAM) 집적도를 구현한 ‘28나노 비휘발성 램용 eMRAM IP’ 등 다양한 응용처별 IP와 공정 기술을 공개한다.