삼성전자, TSMC잡을 비밀병기 美 파운드리 신공장 주목!!

삼성전자가 미국 파운드리 신공장에 GAA(Gate All Around) 기술을 도입한 3㎚(나노미터, 10억분의 1m) 공정을 생산할 것으로 보인다.

이재용 삼성전자 부회장의 방미 일정에서 미국 신공장 투자 확정이 예상되고 있어 투자 확정에서부터 신기술까지 미 신공장을 계기로 삼성전자의 파운드리 승부수가 본격화될 것이란 평가다.

삼성전자는 지난 16일 개최한 ‘삼성전자 인베스터즈 포럼 2021’에서 파운드리 기술 계획을 발표했다. 한승훈 삼성전자 파운드리사업부 전무는 이날 GAA 기술인 ‘멀티 브릿지 채널 펫(MBCFET)’을 적용한 3㎚(나노미터, 10억분의 1m)급 반도체 공정을 언급하며, “곧 미국의 신규 공장에서 이를 알리게 될 것”이라고 밝혔다.

GAA는 4㎚ 이후 파운드리 공정 경쟁에서 핵심 기술로 꼽힌다. 삼성전자가 TSMC와의 초미세공정 경쟁에서 핵심 기술로 목표하고 있는 분야다.

GAA는 반도체 트랜지스터 구조를 개선한 차세대 공정 기술이다. 트랜지스터는 반도체를 구성하는 주요 소자로, 트랜지스터 성능을 향상하기 위해서는 구조물 간 접촉 면적을 키워야 한다. 현재 적용되는 핀펫(FinFET) 방식은 4㎚ 이후 공정에 적용하기 어려운 한계가 있다. 때문에 그 이후 초미세공정에선 GAA 도입이 필수다.

현재 삼성전자는 내년 GAA를 도입하겠다고 목표한 상태다. 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC는 2023년 하반기, 인텔은 2024년으로 도입시기를 밝혔다. 현재로선 삼성전자가 가장 목표시점이 빠르다.

미국 파운드리 신규 공장과 관련, 지금까지 대외적으로 공개된 내용은 삼성전자 미국 법인이 지난 9월 텍사스주 윌리엄슨 카운티·테일러시 당국에 제출한 문구, ‘반도체 산업에서 가장 진보한 기술(most advanced technology in the semiconductor industry)’이 전부였다. 이를 바탕으로 3nm급 공정이 도입될 것이란 해석이 나왔다.

이번 포럼에서 미 신규 파운드리 부지도 거론됐다. 한 전무는 삼성전자 미국 파운드리 공장과 관련, ‘오스틴 캠퍼스 새 공장’으로 소개하며 “기존 공장이 텍사스 오스틴에 있고, 가까운 시일 내에 미국에 새로운 공장을 지을 예정”이라고 설명했다.

삼성전자는 현재 신규 파운드리 부지로 거론 중인 텍사스주 오스틴, 테일러, 애리조나주 굿이어, 퀀크리크, 뉴욕주 제네시카운티 등 5곳 가운데 오스틴, 테일러 2곳을 두고 막판 고심 중인 것으로 알려졌다. 최근 텍사스주 홈페이지에서 삼성전자가 기존 공장이 있는 오스틴시에 제출한 반도체 공장 증설에 관한 세금감면서가 삭제되면서 삼성전자가 테일러시로 최종 판단을 끝냈다는 해석이 나왔다.

이재용 부회장은 지난 14일 김포공항에서 전용기를 타고 캐나다로 출국 후 미국으로 이동했다. 삼성전자 미국 법인을 비롯해 주요 고객사 관계자들과 만남을 가질 것으로 보인다. 방미 중 미국 신공장 부지 선정이 결정될 가능성도 거론되고 있다.