삼성전자 "2026년 5나노 반도체 생산 배 이상 늘릴 것"

삼성전자(005930)가 5나노미터(nm·10억분의 1m) 이하 초미세 첨단 반도체 생산 비중을 올해 13%에서 2026년 34.5%로 배 이상 끌어올리겠다고 밝혔다. 이를 위해 국내외 생산설비를 파운드리(위탁생산) 사업부 출범 원년인 2017년 대비 3.2배로 늘려 ‘시스템 반도체 2030 1위’ 달성에 박차를 가하겠다는 게 삼성전자 측의 설명이다.

삼성전자는 이달 6~8일 온라인으로 개최한 ‘삼성 파운드리 포럼 2021’에서 이 같은 계획을 밝혔다. 이번 포럼에서 삼성전자는 내년 상반기부터 업계 최초로 적용하는 신기술인 게이트올어라운드(GAA) 기반의 3나노 반도체 양산에 돌입한다고 발표했다. 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산이 목표다.

최시영(사진) 삼성전자 파운드리사업부 사장은 7일 기조연설에서 “대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고 전력 효율이 높은 GAA 등 첨단 미세공정뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것”이라고 선언했다.

삼성전자의 독자적 GAA 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되고 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소할 것으로 예상된다.

특히 삼성전자는 올해 기준 모바일이 69%를 차지하는 파운드리 비중 다변화할 예정이다. 이에 2026년 △모바일 53% △고성능 컴퓨팅 반도체 32% △자동차·사물인터넷(IoT) 3% 등으로 분산할 방침이다.

또 올해 100개 정도인 파운드리 고객사를 2025년까지 300곳 이상으로 늘린다는 목표를 밝혔다. 올해 20~21조원에 이를 것으로 예상되는 파운드리 등 시스템 반도체 사업 매출액은 내년부터 3년간 연평균 24%씩 늘려 39조~40조원을 달성할 계획이다.